型号/品牌/封装
品类/描述
库存
价格(含税)
资料
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 1700V 10A 110000mW 3Pin(2+Tab) TO-26855511+￥78.533510+￥75.1190100+￥74.5044250+￥74.0264500+￥73.27521000+￥72.93372500+￥72.45575000+￥72.0460 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 300V 400A TO3P80991+￥57.022810+￥53.7510100+￥51.3205250+￥50.9466500+￥50.57271000+￥50.15202500+￥49.77815000+￥49.5444 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 250000mW 3Pin(3+Tab) TO-3P79001+￥46.628410+￥43.9530100+￥41.9656250+￥41.6598500+￥41.35401000+￥41.01012500+￥40.70435000+￥40.5132 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立元件，IXYS XPT 系列 IXYS 的 XPT™ 系列分立件 IGBT 采用超轻穿通薄芯片技术，可降低热电阻和能源损耗。 这些设备提供快速切换时间，具有低尾线电流，并提供各种工业标准和专有封装。 高功率密度和低 VCE(sat) 方形反向偏置安全工作区域 (RBSOA) 高达额定击穿电压 短路容量，确保 10usec 正向通态电压温度系数 可选 Co-Pack Sonic-FRD™ 或 HiPerFRED™ 二极管 国际标准和专有高电压封装 ### IGBT 分立元件和模块，IXYS 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。38921+￥260.440510+￥253.646450+￥248.4376100+￥246.6258200+￥245.2670500+￥243.45531000+￥242.32292000+￥241.1906 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 900V 165A 830W TO26836251+￥85.905010+￥82.1700100+￥81.4977250+￥80.9748500+￥80.15311000+￥79.77962500+￥79.25675000+￥78.8085 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，IXYS ### IGBT 分立元件和模块，IXYS 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。85731+￥49.214810+￥46.3910100+￥44.2933250+￥43.9706500+￥43.64791000+￥43.28482500+￥42.96215000+￥42.7604 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立元件，IXYS XPT 系列 IXYS 的 XPT™ 系列分立件 IGBT 采用超轻穿通薄芯片技术，可降低热电阻和能源损耗。 这些设备提供快速切换时间，具有低尾线电流，并提供各种工业标准和专有封装。 高功率密度和低 VCE(sat) 方形反向偏置安全工作区域 (RBSOA) 高达额定击穿电压 短路容量，确保 10usec 正向通态电压温度系数 可选 Co-Pack Sonic-FRD™ 或 HiPerFRED™ 二极管 国际标准和专有高电压封装 ### IGBT 分立元件和模块，IXYS 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。61661+￥62.537010+￥59.8180100+￥59.3286250+￥58.9479500+￥58.34971000+￥58.07782500+￥57.69725000+￥57.3709 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立元件，IXYS XPT 系列 IXYS 的 XPT™ 系列分立件 IGBT 采用超轻穿通薄芯片技术，可降低热电阻和能源损耗。 这些设备提供快速切换时间，具有低尾线电流，并提供各种工业标准和专有封装。 高功率密度和低 VCE(sat) 方形反向偏置安全工作区域 (RBSOA) 高达额定击穿电压 短路容量，确保 10usec 正向通态电压温度系数 可选 Co-Pack Sonic-FRD™ 或 HiPerFRED™ 二极管 国际标准和专有高电压封装 ### IGBT 分立元件和模块，IXYS 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。79431+￥293.951510+￥286.283250+￥280.4042100+￥278.3593200+￥276.8256500+￥274.78081000+￥273.50272000+￥272.2247 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 190000mW 3Pin(3+Tab) TO-3P84021+￥47.933810+￥45.1835100+￥43.1404250+￥42.8261500+￥42.51181000+￥42.15822500+￥41.84395000+￥41.6474 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT Transistors 650V/150A TRENCH IGBT GENX4 XPT92311+￥94.978510+￥90.8490100+￥90.1057250+￥89.5276500+￥88.61911000+￥88.20612500+￥87.62805000+￥87.1325 -
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品类: IGBT晶体管描述: Igbt 650V 215A 750W Sot227b85811+￥218.707010+￥213.001650+￥208.6275100+￥207.1060200+￥205.9649500+￥204.44351000+￥203.49262000+￥202.5417 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 145A 400000mW 21Pin SMD79401+￥218.327510+￥212.632050+￥208.2655100+￥206.7467200+￥205.6076500+￥204.08881000+￥203.13952000+￥202.1903 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 1200V 3.2A 28000mW 3Pin(3+Tab) TO-220AB Tube26875+￥5.805025+￥5.375050+￥5.0740100+￥4.9450500+￥4.85902500+￥4.75155000+￥4.708510000+￥4.6440 -
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品类: IGBT晶体管描述: 高速2 -技术 HighSpeed 2-Technology54985+￥14.660150+￥14.0336200+￥13.6828500+￥13.59511000+￥13.50732500+￥13.40715000+￥13.34457500+￥13.2818 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT管/模块 STGW30H65FB TO-247578210+￥11.9640100+￥11.3658500+￥10.96701000+￥10.94712000+￥10.86735000+￥10.76767500+￥10.687810000+￥10.6480 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 650V 250A 880000mW 3Pin(3+Tab) PLUS 24741771+￥111.354510+￥106.5130100+￥105.6415250+￥104.9637500+￥103.89861000+￥103.41442500+￥102.73665000+￥102.1557 -
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品类: IGBT晶体管描述: STGW60H65DF 系列 650 V 120 A 场截止 沟道栅 IGBT - TO-247-364301+￥54.448610+￥51.3245100+￥49.0037250+￥48.6467500+￥48.28971000+￥47.88802500+￥47.53105000+￥47.3078 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 4000V 30A 160000mW 3Pin(3+Tab) ISOPLUS I4-PAC23401+￥400.579510+￥390.129650+￥382.1180100+￥379.3314200+￥377.2414500+￥374.45481000+￥372.71312000+￥370.9715 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 3Pin(3+Tab) ISOPLUS 24739045+￥18.544550+￥17.7520200+￥17.3082500+￥17.19731000+￥17.08632500+￥16.95955000+￥16.88037500+￥16.8010 -
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品类: IGBT晶体管描述: 单晶体管, IGBT, 55 A, 1.65 V, 188 W, 650 V, TO-247, 3 引脚27085+￥23.692550+￥22.6800200+￥22.1130500+￥21.97131000+￥21.82952500+￥21.66755000+￥21.56637500+￥21.4650 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，On Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管 (IGBT)，用于电动机驱动器和其他高电流切换应用。 ### IGBT 分立，On Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。88071+￥38.991210+￥36.7540100+￥35.0921250+￥34.8364500+￥34.58071000+￥34.29312500+￥34.03745000+￥33.8776 -
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品类: IGBT晶体管描述: ON SEMICONDUCTOR NGTB30N120FL2WG 单晶体管, IGBT, 60 A, 2 V, 452 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚80681+￥39.003410+￥36.7655100+￥35.1031250+￥34.8473500+￥34.59151000+￥34.30382500+￥34.04815000+￥33.8882 -
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品类: IGBT晶体管描述: 单晶体管, IGBT, 30 A, 1.4 V, 225 mW, 600 V, TO-247, 3 引脚87625+￥33.169550+￥31.7520200+￥30.9582500+￥30.75981000+￥30.56132500+￥30.33455000+￥30.19287500+￥30.0510 -
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品类: IGBT晶体管描述: UPS / 太阳能 1200 V 160 A 法兰安装 超级 场截止 IGBT - TO-247-336261+￥37.051410+￥34.9255100+￥33.3463250+￥33.1033500+￥32.86031000+￥32.58702500+￥32.34415000+￥32.1922 -
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品类: IGBT晶体管描述: ON SEMICONDUCTOR NGTB30N60SWG 单晶体管, IGBT, 60 A, 1.9 V, 189 W, 600 V, TO-247, 3 引脚26895+￥18.579650+￥17.7856200+￥17.3410500+￥17.22981000+￥17.11862500+￥16.99165000+￥16.91227500+￥16.8328
